Richtige Antwort: C

Die richtige Antwort ist: Gate, Source und Drain.

1. Transistoraufgabe einordnen: Bestimme, ob es um Anschluss, Ansteuerung, Schalter, Verstärker, Sensorik, Logik oder Schutz geht.
2. Passenden Zusammenhang anwenden: Das Gate steuert den Stromkanal zwischen Source und Drain; die genaue Struktur hängt vom FET-Typ ab.
3. Ergebnis prüfen: Das Ergebnis lautet Gate, Source und Drain.. Achte auf Polarität, Arbeitspunkt, Grenzwerte, Einheiten und Verlustleistung.

Richtige Antwort: B

Die richtige Antwort ist: Eine Gate-Spannung verändert die Leitfähigkeit des Kanals.

1. Transistoraufgabe einordnen: Bestimme, ob es um Anschluss, Ansteuerung, Schalter, Verstärker, Sensorik, Logik oder Schutz geht.
2. Passenden Zusammenhang anwenden: Das elektrische Feld am Gate beeinflusst die Anzahl der beweglichen Ladungsträger im Kanal.
3. Ergebnis prüfen: Das Ergebnis lautet Eine Gate-Spannung verändert die Leitfähigkeit des Kanals.. Achte auf Polarität, Arbeitspunkt, Grenzwerte, Einheiten und Verlustleistung.

Richtige Antwort: A

Die richtige Antwort ist: Sie benötigen idealisiert nur einen sehr kleinen Gate-Strom.

1. Transistoraufgabe einordnen: Bestimme, ob es um Anschluss, Ansteuerung, Schalter, Verstärker, Sensorik, Logik oder Schutz geht.
2. Passenden Zusammenhang anwenden: Das isolierte Gate wird durch ein elektrisches Feld angesteuert; reale Leckströme und Umladeströme bleiben möglich.
3. Ergebnis prüfen: Das Ergebnis lautet Sie benötigen idealisiert nur einen sehr kleinen Gate-Strom.. Achte auf Polarität, Arbeitspunkt, Grenzwerte, Einheiten und Verlustleistung.

Richtige Antwort: D

Die richtige Antwort ist: Ein FET, bei dem ein leitfähiger Elektronenkanal zwischen Source und Drain gesteuert wird.

1. Transistoraufgabe einordnen: Bestimme, ob es um Anschluss, Ansteuerung, Schalter, Verstärker, Sensorik, Logik oder Schutz geht.
2. Passenden Zusammenhang anwenden: Bei einem n-Kanal-Typ tragen Elektronen wesentlich zum Kanalstrom bei; Polaritäten hängen von der konkreten Bauform ab.
3. Ergebnis prüfen: Das Ergebnis lautet Ein FET, bei dem ein leitfähiger Elektronenkanal zwischen Source und Drain gesteuert wird.. Achte auf Polarität, Arbeitspunkt, Grenzwerte, Einheiten und Verlustleistung.

Richtige Antwort: C

Die richtige Antwort ist: Eine hohe statische Spannung kann die dünne Gate-Isolation beschädigen.

1. Transistoraufgabe einordnen: Bestimme, ob es um Anschluss, Ansteuerung, Schalter, Verstärker, Sensorik, Logik oder Schutz geht.
2. Passenden Zusammenhang anwenden: Das isolierte Gate besitzt eine sehr dünne Schicht; ESD-Schutz und geeignete Handhabung sind wichtig.
3. Ergebnis prüfen: Das Ergebnis lautet Eine hohe statische Spannung kann die dünne Gate-Isolation beschädigen.. Achte auf Polarität, Arbeitspunkt, Grenzwerte, Einheiten und Verlustleistung.